Intel確定在中國生產(chǎn)3D閃存:內(nèi)存/硬盤合體加速到來
在Intel上周發(fā)布的第三季財報中,凈利潤出現(xiàn)了明顯下滑。
對于全球處理器頭號大廠來說,在PC走勢必然不好的背景下,他們必須想辦法拓展一些新業(yè)務(wù)。
據(jù)新浪科技報道,英特爾宣布在中國大連投資55億美元,將其在當(dāng)?shù)氐墓S轉(zhuǎn)型為存儲芯片制造工廠,專注非易失性存儲芯片( nonvolatile memory chips)。
英特爾大連工廠雖然創(chuàng)辦于2010年,但是在制造工藝上卻落后于其它英特爾工廠兩代以上。
今年的IDF大會上,英特爾中重點推介了3D XPoint技術(shù),這種基于電阻非易失性內(nèi)存存儲方案(統(tǒng)一了DRAM內(nèi)存和SSD),理論速度可以比如今的固態(tài)硬盤快千倍。
英特爾表示,大連工廠預(yù)計將從2016年下半年開始生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。
內(nèi)存硬盤二合一的時代正加速到來……
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